FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric RAM)

강유전체(Ferroelectric) 물질의 분극 특성을 이용하여 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리로, SRAM급 고속 읽기/쓰기와 Flash 수준의 비휘발성을 동시에 제공

특징: 비휘발성, 고속(SRAM급 150ns), 저전력(DRAM의 1/100), 무한 쓰기(10^12~10^15 cycles), 바이트 단위 접근

동작원리: 강유전체 커패시터의 자발 분극(Spontaneous Polarization) 방향으로 0/1 저장, 전기장 인가 시 분극 반전, 전원 없이 분극 상태 유지

비교

• •FRAM vs SRAM: 비휘발성(O vs X), 속도(유사), 집적도(높음 vs 낮음)
• •FRAM vs DRAM: 비휘발성(O vs X), 리프레시(불필요 vs 필요), 속도(유사)
• •FRAM vs Flash: 쓰기속도(1000배 빠름), 쓰기수명(10^15 vs 10^5), 소거 단위(바이트 vs 블록)

적용사례: IoT 센서, 의료기기(심박조율기), 스마트카드, 자동차 ECU, 산업용 계측기

연관: MRAM, ReRAM, PRAM, 차세대 비휘발성 메모리, 메모리 계층