토픽 100 / 111·프로세서·반도체 트렌드 (Processor & Semiconductor Trends)
DDR5 (Double Data Rate 5)
DDR5 (Double Data Rate 5)
5세대 DDR SDRAM 메모리 표준으로, DDR4 대비 2배 속도·용량과 온다이 ECC를 제공하여 서버·워크스테이션·고성능 PC의 메모리 성능을 향상
목적: 대역폭 증대, 용량 확장, 신뢰성 향상, 전력 효율
특징: 높은 속도, 온다이 ECC, 낮은 전압, 대용량, 듀얼 채널
주요 개선
- •속도: DDR5-4800~8400(vs DDR4-2133~3200), 최대 8.4GT/s
- •대역폭: 38.4-67.2GB/s(vs DDR4 25.6GB/s)
- •용량: 모듈당 최대 512GB(vs DDR4 128GB)
- •전압: 1.1V(vs DDR4 1.2V), 전력 효율 20% 향상
- •온다이 ECC: 칩 내부 에러 수정, 신뢰성 향상(SECDED)
- •듀얼 채널: 모듈 내부 2개 독립 채널, 병렬성 증가
- •DMC(Decision Feedback Equalization): 신호 무결성 개선
뱅크 구조: 32개 뱅크(DDR4 16개), 8개 뱅크 그룹
장점: 2배 속도, 대용량, 온다이 ECC, 낮은 전압, 미래 대비
단점: 높은 비용, 호환성 없음(DDR4와), 초기 지연시간 증가, 플랫폼 요구사항
적용사례: Intel 12세대+(Alder Lake), AMD Ryzen 7000+, 서버(Xeon/EPYC), 워크스테이션
비교: DDR5(6.4GT/s/온다이ECC/1.1V) vs DDR4(3.2GT/s/옵션ECC/1.2V) vs HBM3(고대역폭/적층)
연관: DRAM, 메모리 계층, ECC, JEDEC 표준